热处理对钛掺杂类金刚石薄膜场发射性能的影响

来源：材料热处理学报 【在线投稿】栏目：期刊导读时间：2021-02-26

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摘要：采用多靶磁控溅射技术制备了钛掺杂类金刚石（Ti-DLC）薄膜,并在不同温度（300,350,400℃）下进行了热处理,研究了热处理温度对薄膜微观结构、成分、能带结构以及场发射性能的影响。结

采用多靶磁控溅射技术制备了钛掺杂类金刚石（Ti-DLC）薄膜,并在不同温度（300,350,400℃）下进行了热处理,研究了热处理温度对薄膜微观结构、成分、能带结构以及场发射性能的影响。结果表明:与热处理前的相比,300℃热处理后Ti-DLC薄膜中sp²-C团簇相对含量增大,光学带隙最小,开启场强最低,为5.43 V·μcm^-1,场发射性能最好;当热处理温度高于300℃时,薄膜的D L C含量减少,同时生成大量TiO₂,光学带隙增加,薄膜开启场强增大,场发射性能变差;薄膜的场发射电流基本不受热处理温度的影响。

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